儀器儀表技術(shù)名詞
半導(dǎo)體粒子射線探測(cè)器semiconductor particle detector
用于檢出高能粒子( α 射線、β 射線),強(qiáng)度的半導(dǎo)體敏感元件。它通常做成PN結(jié)、表面勢(shì)壘、PIN結(jié)等結(jié)構(gòu)形式，使入射的粒子射線轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進(jìn)行檢測(cè)。
半導(dǎo)體放射線檢測(cè)器semiconductor radiation detector
用于檢出放射線粒子數(shù)量(即放射線強(qiáng)度)的半導(dǎo)體射線敏感元件。它通常由半導(dǎo)體材料(Si、Ge)制成PIN結(jié)構(gòu)形式，可將放射線( γ 射線、X 射線等)粒子轉(zhuǎn)換成電荷脈沖進(jìn)行檢測(cè)。
射線敏感元件radiation sensor;radiation-electric signal transducer
對(duì)放射線( X 射線、γ 射線)、粒子射線( α 射線、β 射線)等信息或能量具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。
防雷用電壓敏電阻器arrester varistor
用于吸收大氣過(guò)電壓的壓敏電阻器。
消磁電壓敏電阻器anti-magnetized varistor
用來(lái)消除勵(lì)磁電路中因被切斷而儲(chǔ)存的能量的壓敏電阻器。
消噪電壓敏電阻器noise suppressing varistor
用來(lái)消除電噪聲的電壓敏電阻器。
消弧電壓敏電阻器arc suppressing varistor
用來(lái)消除各種型式的繼電器火花、開(kāi)關(guān)電弧的電壓敏電阻器。
高頻電壓敏電阻器high frequency varistor
在載波機(jī)等較高頻率的電子設(shè)備中作為過(guò)電壓吸收的壓敏電阻器。
高能電壓敏電阻器high energy varistor
單位體積內(nèi)吸收能量大的電壓敏電阻器。
過(guò)電壓保護(hù)電壓敏電阻器over voltage protection varistor
用于抑制過(guò)電壓的電壓敏電阻器。
穩(wěn)壓電壓敏電阻器stabilized voltage varistor
利用非線性特性對(duì)電子線路輸出電壓起穩(wěn)定作用的電壓敏電阻器。
膜式電壓敏電阻器film varistor
由薄膜構(gòu)成電阻體的電壓敏電阻器。
單顆粒層電壓敏電阻器single grain layer varistor
將碳化硅、硅等半導(dǎo)體顆粒單層排列在一個(gè)平面內(nèi)且彼此絕緣，每個(gè)顆粒的上下兩面都與電極相接觸而構(gòu)成的電壓敏電阻器。
結(jié)型氧化鋅電壓敏電阻器junction type zinc oxide varistor
由氧化鋅電阻體與金屬電極之間的非歐姆接觸而形成非線性特性的電壓敏電阻器。
體型氧化鋅電壓敏電阻器bulk zinc oxide varistor
兩電極與電阻體之間呈歐姆接觸，由電阻體內(nèi)大量氧化鋅顆粒之間的界面層形成非線性特性的電壓敏電阻器。
氧化鋅電壓敏電阻器zinc oxide varistor
電阻材料以氧化鋅為主，添加適當(dāng)?shù)钠渌饘傺趸锊⒂靡话闾沾晒に囍瞥傻碾妷好綦娮杵鳌?br />
碳化硅電壓敏電阻器silicon carbride varistor
電阻體材料以碳化硅為主，用一般陶瓷工藝制成的電壓敏電阻器。
電壓敏電阻器varistor;voltage-dependent resitotr
在正常條件下，當(dāng)電壓超過(guò)某一臨界值時(shí)，電流隨電壓升高而急劇增加的半導(dǎo)體非線性電阻器。
電阻式濕敏元件resistive moisture sensor
電阻值隨相對(duì)濕度變化而改變的濕敏元件。
電容式濕敏元件capacitive moisture sensor
電容量隨相對(duì)濕度變化而改變的濕敏元件。
濕敏元件moisture sensor
對(duì)環(huán)境濕度(水蒸氣)具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件?？捎肎e、Se、氧化物半導(dǎo)體等材料制成。
復(fù)合氧化物系氣敏元件compound oxide series gas sensor
以稀土和過(guò)渡金屬?gòu)?fù)合氧化物為基體材料制成的氣敏元件。
SnO\-2系氣敏元件tin oxide series gas sensor
以SnO\-2為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。
燒結(jié)式氣敏元件sintered gas sensor
將一定配比的氣敏材料、摻雜劑和粘合劑，經(jīng)混合、研磨制成漿料，然后滴入模具(事先已放好Pt絲)或涂在電極上自然干燥或壓模成型，在一定溫度下燒結(jié)而成的氣敏元件。
薄膜式氣敏元件thin film gas sensor
利用蒸發(fā)或?yàn)R射法在絕緣基片上淀積氣敏性氧化物薄膜而制成的氣敏元件。
硅單晶氣敏元件silicon crystal gas sensor
利用光刻和化學(xué)腐蝕技術(shù)在硅單晶基片上制成的氣敏元件。它具有微型化和集成化的特點(diǎn)。
P型氧化物氣敏元件P-type oxide gas sensor
由P型氧化物材料(NiO、CoO、Cr\-2O\-3等)制成的氣敏元件。P型氣敏元件吸附氧化性氣體時(shí)，其電阻值下降；而吸附還原性氣體時(shí)，其電阻值增高。
N型氧化物氣敏元件N-type oxide gas sensor
由N型氧化物材料(ZnO、SnO\-TiO\-2等)制成的氣敏元件。N型氧化物氣敏元件吸附還原性氣體時(shí)，其電阻值下降；而吸附氧化性氣體時(shí)，其電阻值增高。
氣敏元件gas sensor
對(duì)環(huán)境氣體具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。氣敏元件大多由非化學(xué)配比的金屬氧化物材料制成，其電阻值隨表面吸附氣體的種類和吸附量而發(fā)生相應(yīng)變化。用于有毒氣體、可燃?xì)怏w及其他氣體的報(bào)警、檢漏、定量檢測(cè)等。
光電磁敏元件photoelectro magnetic(PEM) element
利用半導(dǎo)體的光電磁敏效應(yīng)制成的檢測(cè)紅外線和熱輻射的敏感元件?？捎糜诒O(jiān)控鐵路車輪或制動(dòng)器的發(fā)熱狀況。最小探測(cè)功率為10\+\{-9\}～10\+\{-10\}瓦。
注：光電磁敏效應(yīng)是指，當(dāng)光生載流子在半導(dǎo)體(Insb)內(nèi)因擴(kuò)散而流動(dòng)時(shí)，在外加磁場(chǎng)形成的霍爾效應(yīng)作用下可在電極間產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)。
磁敏晶體管magnetic transistor
具有晶體管結(jié)構(gòu)的電流型磁電轉(zhuǎn)換器件。其靈敏度是磁敏二極管的幾倍至十幾倍。
磁敏二極管magnatic diode
其電阻值隨磁場(chǎng)方向與大小有顯著變化的二極管。
磁敏電阻器magnetic resistor
半導(dǎo)體的電阻值隨外加磁場(chǎng)強(qiáng)度平方成正比例變化的電阻器。與霍爾元件相比，可檢測(cè)較強(qiáng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度(大于1千高斯)，可用作無(wú)觸點(diǎn)可變電阻器。
霍爾集成電路Hall integrated circuit
將霍爾元件和放大器等元件制作在同一塊半導(dǎo)體基片上的集成電路。
霍爾調(diào)制器Hall modulator
為信號(hào)調(diào)制目的而特殊設(shè)計(jì)的霍爾元件。
霍爾探頭Hall probe
為測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度而特殊設(shè)計(jì)的霍爾元件。
霍爾乘法器Hall multiplier
利用霍爾元件的輸出電壓VH與外加磁場(chǎng)強(qiáng)度H和控制電流I乘積成正比的關(guān)系而構(gòu)成的乘法器?？捎米餍盘?hào)調(diào)制器。
霍爾元件Hall element
又稱霍爾效應(yīng)器件(Hall effet device)利用半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)制成的磁敏元件。主要用于磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量和磁滯信號(hào)的接收等。
注：在半導(dǎo)體或金屬制成的長(zhǎng)方體內(nèi)，如果在X方向上通以電流、在Z方向上施加磁場(chǎng)強(qiáng)度Hz，那么在垂直于兩者的Y方向上則產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這種現(xiàn)象稱作霍爾效應(yīng)。
磁敏元件magneto sensor
對(duì)外界磁場(chǎng)強(qiáng)度變化具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。包括霍爾元件、磁敏電阻器、磁敏二極管、磁敏晶體管等。
ZnO系氣敏元件zinc oxide series gas sensor
以ZnO為基體材料加入適量摻雜劑制成的氣敏元件。
光集成電路optical integrated circuit
將許多光電元件制作在一塊基片上以實(shí)現(xiàn)集成化的光電組件。
固體攝象器solid-state image sensitive device
能將光圖象轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體光敏器件。它是在一種半導(dǎo)體基片上排列很多獨(dú)立光敏探測(cè)單元(象素)、并把入射到各象素的光量以電信號(hào)形式輸出的固體攝象裝置。
光電耦合器photoelectric coupler
將發(fā)光器件和受光器件加以組合，并以光為媒介進(jìn)行信號(hào)傳遞的組件。輸入端一般是發(fā)光二極管，輸出端一般是光電晶體管。
光電閘流管photo thyristor
利用光電流作為控制電流使其進(jìn)行開(kāi)閉動(dòng)作的閘流管。
光電晶體管photo transistor
對(duì)光電流具有放大作用的體管。它相當(dāng)于在基極和集電極之間串接光電二極管的普通晶體管。
光電二極管photo diode
利用半導(dǎo)體p-n結(jié)或表面勢(shì)壘將光生載流子作為光電流或光生電動(dòng)勢(shì)輸出的光敏元件。
紅外探測(cè)器infrared detector
對(duì)紅外光信號(hào)具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的光敏元件。主要用于軍事目標(biāo)的夜視、跟蹤、制導(dǎo)等目的。
藍(lán)硅電池 blue streak silicon photo cell
對(duì)蘭色光響應(yīng)特別靈敏的硅光電池。其光譜靈敏區(qū)一般在4200～8500埃范圍。主要用于檢測(cè)目的，如測(cè)光、照相機(jī)電子快門(mén)、自動(dòng)控制等。
硅光電池silicon photo cell
用硅材料制成的光電池。主要用于控制、驅(qū)動(dòng)電路以及光學(xué)測(cè)量。
太陽(yáng)電池solar cell
將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)換成電能的光電轉(zhuǎn)換元件。
光電池photo cell
利用光伏效應(yīng)制成的光敏元件。它是一種將光能轉(zhuǎn)換成電能的光電轉(zhuǎn)換元件。
注：當(dāng)半導(dǎo)體受到光照后，由于光產(chǎn)生載流子濃度不均勻性而在兩種材料的界面上產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的效應(yīng)，稱為光伏效應(yīng)。
光敏電阻器photo-resistor
又稱光導(dǎo)管(photo conductive cell)。利用光電導(dǎo)效應(yīng)制成的電阻器。
注：當(dāng)物質(zhì)受到光照時(shí)，載流子濃度增加、電導(dǎo)率增大的效應(yīng)，稱作光電導(dǎo)效應(yīng)。
光敏元件photo-sensor
對(duì)外界光信號(hào)或光輻射具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。常見(jiàn)的有光敏電阻器、光電池、光電二極管、光電晶體管、紅外探測(cè)器等。
測(cè)速熱敏電阻器velocity measure thermistor
主要用于測(cè)量和控制流體流速(流量)的熱敏電阻器。
穩(wěn)壓熱敏電阻器voltage stabilized thermistor
在一定工作電流范圍內(nèi)，能穩(wěn)定低電壓的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。
控溫?zé)崦綦娮杵鳘emperature control thermistor
在常溫范圍內(nèi)，作溫度控制用的熱敏電阻器。
測(cè)溫?zé)崦綦娮杵鳘emperature measure thermistor
在常溫范圍內(nèi)，作溫度測(cè)量用的熱敏電阻器。
氧化物熱敏電阻器oxide thermistor
用金屬氧化物材料制成電阻體的熱敏電阻器。常用的金屬氧化物有氧化錳、氧化鈷、氧化鎳、氧化銅等。
有機(jī)半導(dǎo)體熱敏電阻器organic semiconductor thermistor
用有機(jī)半導(dǎo)體材料制成電阻體的熱敏電阻器。
非晶態(tài)熱敏電阻器amorphous semiconductor thermistor
用無(wú)定形結(jié)構(gòu)的無(wú)機(jī)材料制成電阻體的熱敏電阻器。
多晶熱敏電阻器multi crystal thermistor
用多晶材料制成電阻體的熱敏電阻器。
單晶熱敏電阻器crystal thermistor
用單晶材料制成電阻體的熱敏電阻器。
非密封型熱敏電阻器non-enveloped thermistor
電阻體不具有密封結(jié)構(gòu)，其特性易受周圍介質(zhì)影響的熱敏電阻器。
密封型熱敏電阻器enveloped thermistor
電阻體具有密封結(jié)構(gòu)，在規(guī)定條件下其主要特性不受周圍介質(zhì)影響的熱敏電阻器。
旁熱式熱敏電阻器indirecty heated type thermistor
又稱間熱式熱敏電阻器。電阻體的電阻值變化主要受通過(guò)加熱器的電流控制的熱敏電阻器。熱敏電阻器和加熱器封裝在真空或充以適當(dāng)氣體的玻殼內(nèi)。
直熱式熱敏電阻器direct heated type thermistor
電阻體因加熱電流直接通過(guò)使其發(fā)熱，或者直接受環(huán)境溫度影響而改變電阻值的熱敏電阻器。
低溫?zé)崦綦娮杵鳘ow temperauture thermistor
工作溫度在-55℃以下的熱敏電阻器。
高溫?zé)崦綦娮杵鳘igh temperature thermistor
工作溫度在315℃以上的熱敏電阻器。
常溫?zé)崦綦娮杵鳘rdinary temperature thermistor
工作溫度在-55℃至+315℃范圍內(nèi)的熱敏電阻器。
線性熱敏電阻器linear thermistor
在工作溫度范圍內(nèi)，電阻溫度特性呈線性或接近線性關(guān)系的熱敏電阻器。其中具有負(fù)阻溫特性的稱為負(fù)溫度系數(shù)線性熱敏電阻器，具有正阻溫特性的稱為正溫度系數(shù)線性熱敏電阻器。
臨界溫度熱敏電阻器critical temperature thermistor
在臨界溫度時(shí),零功率電阻值發(fā)生階躍式減少的熱敏電阻器。
負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器N.T.C.thermistor
在工作溫度范圍內(nèi)，零功率電阻值隨溫度升高而顯著減小的熱敏電阻器。
正溫度系數(shù)熱敏電阻器P.T.C.thermistor
在工作溫度范圍內(nèi)，零功率電阻值隨溫度升高而顯著增大的熱敏電阻器。
熱敏電阻器thermistor
其電阻值隨電阻體溫度變化而顯著變化的半導(dǎo)體電阻器。
熱敏元件thermo-sensor;temperature sensor
對(duì)外界溫度或熱輻射具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。最典型的熱敏元件是熱敏電阻器；此外，還有熱敏二極管、熱敏電抗器、熱敏諧振器、熱輻射檢測(cè)元件等。被廣泛用于檢測(cè)儀表及控制系統(tǒng)中。
壓電晶體管piezo-transistor
對(duì)半導(dǎo)體結(jié)型晶體管的發(fā)射極-基極結(jié)上施加局部集中應(yīng)力后，集電極電流發(fā)生變化的敏感元件。
壓電二極管piezo-diode
施加應(yīng)力或壓力后，半導(dǎo)體二極管正反向電流發(fā)生相應(yīng)變化的敏感元件。
裂紋擴(kuò)散計(jì)crack propagation gauge
粘貼在被測(cè)試件上的用以探測(cè)其裂紋擴(kuò)展情況的敏感元件。
疲勞壽命計(jì)fatigue life gauge
粘貼在被測(cè)試件上的用以測(cè)量試件材料疲勞程度的敏感元件。外形與箔式應(yīng)變計(jì)相似。
三向應(yīng)變花three-dimesional rosette gauge
由一簇(6個(gè)或6個(gè)以上)應(yīng)變計(jì)以一定幾何形狀埋置于被測(cè)試件內(nèi)測(cè)其內(nèi)應(yīng)力的模塊。
非粘貼式應(yīng)變計(jì)unbonded strain gauge
敏感柵不粘貼在基底材料上的應(yīng)變計(jì)。其敏感柵通常由四個(gè)電阻柵組成電橋，在外力作用下產(chǎn)生差動(dòng)電阻變化。
卡爾遜應(yīng)變計(jì)Carlson type strain gauge
用兩組已施加張力的細(xì)絲作為敏感柵，外部封以撓性金屬筒的應(yīng)變計(jì)。
體型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)bulk type semiconductor strain gauge
用單晶硅等半導(dǎo)體材料切割后經(jīng)蝕刻等方法制成敏感柵的應(yīng)變計(jì)。
摩擦式應(yīng)變計(jì)frictional strain gauge
用摩擦方式把應(yīng)變傳遞到敏感柵的應(yīng)變計(jì)。
膜片式應(yīng)變計(jì)diaphragm strian gauge
制成特珠形狀的敏感柵粘貼在膜片平面上以測(cè)量膜片受力變形的應(yīng)變計(jì)。
防水應(yīng)變計(jì)water proof strain gauge
表面及引線復(fù)蓋有防水塑膠使其具有防水性能的應(yīng)變計(jì)。
抗磁性應(yīng)變計(jì)non-mangetic strain gauge
采用磁阻效應(yīng)很小的材料制成的，可使用于磁場(chǎng)環(huán)境中的應(yīng)變計(jì)。
擴(kuò)散型半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)diffused type semiconductor strain gauge
用熱擴(kuò)散工藝或離子注入法將適當(dāng)雜質(zhì)摻雜到半導(dǎo)體材料上而制成敏感柵的應(yīng)變計(jì)。
半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)semiconductor strain gauge
用半導(dǎo)體材料制成敏感柵的應(yīng)變計(jì)。常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺等。
屏蔽式應(yīng)變計(jì)shielded strain gauge
將敏感柵或應(yīng)變計(jì)密封于金屬外殼內(nèi)(使用時(shí)一般點(diǎn)焊在被測(cè)試件上)的應(yīng)變計(jì)。適用于腐蝕性氣氛或水下。
多軸應(yīng)變計(jì)multi-axial strain gauge
又稱應(yīng)變花(rosette)。由兩個(gè)或兩個(gè)以上敏感柵組成的用于測(cè)量?jī)蓚€(gè)以上方向應(yīng)變的應(yīng)變計(jì)。
單軸應(yīng)變計(jì)uniaxial strain gauge
用于測(cè)量單向應(yīng)變的應(yīng)變計(jì)。
埋入式應(yīng)變計(jì)embedded strain gauge
埋入混凝土等結(jié)構(gòu)材料中，用以測(cè)定其內(nèi)部應(yīng)變的應(yīng)變計(jì)。
噴涂式應(yīng)變計(jì)strain gauge in stalled by spraying process
用陶瓷噴涂的方法固定在被測(cè)試件上的應(yīng)變計(jì)。
焊接式應(yīng)變計(jì)weldable strain gauge
用焊接方法固定在被測(cè)試件上的應(yīng)變計(jì)。
粘貼式應(yīng)變計(jì)bonded strain gauge
使用時(shí)將應(yīng)變計(jì)粘貼在被測(cè)試件上的應(yīng)變計(jì)。
大應(yīng)變應(yīng)變計(jì)high elongation strain gauge
能用于測(cè)量應(yīng)變量超過(guò)2％的應(yīng)變計(jì)。
溫度自補(bǔ)償應(yīng)變計(jì)self-temperature compensated strain gauge
在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，在線膨脹系數(shù)為某一定值的被測(cè)試件上使用時(shí)，熱輸出不超過(guò)規(guī)定數(shù)值的應(yīng)變計(jì)。
低溫應(yīng)變計(jì)low temperature strain gauge
最低工作溫度低于-30℃的應(yīng)變計(jì)。
常溫應(yīng)變計(jì)normal temperature strain gauge
工作溫度在-30℃至+60℃之間的應(yīng)變計(jì)。
中溫應(yīng)變計(jì)medium temperature strain gauge
最高工作溫度在+60℃至+350℃之間的應(yīng)變計(jì)。
高溫應(yīng)變計(jì)high temperature strain gauge
最高工作溫度高于+350℃的應(yīng)變計(jì)。
臨時(shí)基底應(yīng)變計(jì) strain gauge with temporary base
制造時(shí)將敏感柵粘貼于臨時(shí)基底上，待敏感柵固定在被測(cè)試件上之后，臨時(shí)基底隨即被取去的應(yīng)變計(jì)。
金屬基應(yīng)變計(jì)strain gauge with metal base
以金屬薄片或金屬網(wǎng)作為基底材料的電阻應(yīng)變計(jì)。
膠膜應(yīng)變計(jì)stain gauge with organic film base
以有機(jī)膠膜作為基底材料的電阻應(yīng)變計(jì)。
浸膠基應(yīng)變計(jì)impregnated base strain gauge
以浸膠的紙或玻璃纖維布作為基底材料的電阻應(yīng)變計(jì)。
紙基應(yīng)變計(jì)paper based strain gauge
以紙作為基底材料的電阻應(yīng)變計(jì)。
薄膜式應(yīng)變計(jì)thin film strain gauge
用蒸鍍或?yàn)R射法淀積的金屬、合金或半導(dǎo)體薄膜制成敏感柵的電阻應(yīng)變計(jì)。
箔式應(yīng)變計(jì)foil strain gauge
以金屬箔作為敏感柵的電阻應(yīng)變計(jì)。
絲式應(yīng)變計(jì) wire strain gauge
以金屬絲作為敏感柵的電阻應(yīng)變計(jì)。
電阻應(yīng)變計(jì)resistance strain gauge
又稱電阻應(yīng)變片。能將被測(cè)試件的應(yīng)變量轉(zhuǎn)換成電阻變化量的敏感元件。它是基于電阻敏感柵受到應(yīng)變時(shí)，其電阻值發(fā)生相應(yīng)變化的物理現(xiàn)象(應(yīng)變-電阻效應(yīng))制成的。
力敏元件mechanical sensor
對(duì)應(yīng)力或外界壓力具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的敏感元件。如電阻應(yīng)變計(jì)(片)、壓電二極管、壓電晶體管等。
敏感元件sensor
對(duì)外界被檢測(cè)的信息具有響應(yīng)和轉(zhuǎn)換功能的一類元件。被檢測(cè)的信息(輸入信號(hào))可以是物理量，亦可以是化學(xué)量，但其檢測(cè)量一般是以電信號(hào)形式輸出，如電阻、電壓、電容等。按外界被檢測(cè)信息的類別，敏感元件可分為力敏、熱敏、光敏、磁敏、氣敏、濕敏、壓敏等多種敏感元件。